ライフタイム制御（事例：Diode,IGBT）

パワー半導体内部にイオンを照射することで、意図的に欠陥を生成します。 生成された欠陥は半導体のキャリアライフタイムを短縮する効果があるため、 OFF時のスイッチングスピードが高速になります。

適用例

• ダイオードのリカバリー速度の高速化
• IGBTのリカバリー波形のソフト化（ノイズ低減）