イオンビーム利用サービス
加速器利用技術
サービス内容
- 半導体ウエハへのイオン照射（IIS）
- 中性子ラジオグラフィ撮影（NRT）
サイクロトロン仕様住友重機械工業（株）製 CYPRIS-370V型
| 呼称 | エネルギー（MeV） | Si中飛程値(㎛) | Si中半値幅(㎛) |
|---|---|---|---|
| Proton | 2 | 44 | 3 |
| 4 | 163 | 8 | |
| 8 | 472 | 22 | |
| Helium-3 | 23 | 351 | 8 |
| Helium-4 | 3 | 13 | 1 |
| 17 | 165 | 4 |
バンデグラフ仕様High-Voltage Engineering製 AN-2500
| 呼称 | エネルギー（MeV） | Si中飛程値(㎛) | Si中半値幅(㎛) |
|---|---|---|---|
| Proton | 0.25-2.30 | 2-60 | 0.3-3.0 |
IIS 半導体ウエハへのイオン照射
サイリスタ、ダイオード、パワートランジスタなどのウエハにイオン照射を行い、局所的に欠陥層やドナー層を生成することによって電気特性を向上させます。
ウエハ自動搬送装置
ダイオードのリカバリー波形比較イメージ
- 適用例ライフタイムコントロール
- パワー半導体内部に水素やヘリウムのイオンを照射することで、半導体中のキャリアを消失させる効果のある格子欠陥を生成。その結果、スイッチングスピードを高速化させるタイムコントロールが行え、かつリカバリー時のノイズの低減も可能になります。
- 適用例水素イオン注入によるn層形成
- 数MeVに加速された水素イオンを注入後に熱処理することで、局所的に濃度の高いn層を形成できます。薄型化が進むパワー半導体の短絡耐量改善やリカバリー波形のソフト化に有効です。
NRT 中性子ラジオグラフィ撮影
X線やガンマ線の代わりに中性子線を用いた放射線透過試験法で、X線撮影では困難な、樹脂や火薬の充填状況の確認等が可能です。
左：X線撮影 右：中性子撮影
